老是触发静电怎么办

三星取得保护集成电路的方法、施密特触发器和静电保护电路专利,...金融界2024年3月20日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“保护集成电路的方法、施密特触发器和静电保护电路“授权公告号CN111277260B,申请日期为2019年8月。专利摘要显示,公开一种保护集成电路的方法、施密特触发器和静电保护电路。提供一种具小发猫。

长鑫存储申请静电防护结构及存储器专利,设计面积小,触发电压低,静电...第一反型掺杂区和第三反型掺杂区用于连接第一信号端,第二反型掺杂区和第四反型掺杂区用于连接第二信号端,第一同型掺杂区、第二同型掺杂区和第三同型掺杂区电连接,以设计面积小,触发电压低,静电防护能力强的静电防护结构,从而满足低压高速存储器产品的静电防护要求。本文源等会说。

三星申请静电放电保护器件专利,触发二极管彼此电连接金融界2024年3月29日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“静电放电保护器件“公开号CN117790496A,申请日期为后面会介绍。 扩散区中形成在第一阱中的一个扩散区与N阱之间的结点形成触发二极管。扩散区中形成在第二阱中的一个扩散区与P阱之间的结点形成触发二后面会介绍。

三星取得静电放电保护电路和包括其的集成电路专利,专利技术能实现...提供了一种静电放电(ESD)保护电路和一种集成电路。所述ESD保护电路包括:暂态检测电路,被配置为基于第一电力轨上的电压的电压变化速率生成动态触发信号;电压检测电路,被配置为基于第一电力轨上的电压生成静态触发信号;触发器电路,被配置为基于动态触发信号和静态触发信号等会说。

长鑫存储申请芯片的静电保护电路专利,增加静电保护电路的泄放能力金融界2024年4月2日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“芯片的静电保护电路“公开号CN117810936A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本公开提供一种芯片的静电保护电路,静电保护电路包括第一端和第二端,静电保护电路包括:触发电路,与静电保等我继续说。

芯愿景申请一种静电保护电路及芯片专利,延长泄放器泄放时间北京芯愿景软件技术股份有限公司申请一项名为“一种静电保护电路及芯片“公开号CN202410591798.5,申请日期为2024 年5 月。专利摘要显示,本申请提供了一种静电保护电路及芯片,涉及芯片技术领域。本申请中触发模块响应于所述第一电压端与地端之间的静电脉冲生成触发信小发猫。

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清华大学申请RNA递送专利,实现RNA从早期溶酶体逃逸,提高其表达效率本发明提供一种可电离阳离子脂质化合物,其通过可电离的含胺的脂质分子在弱酸环境下触发质子化,不仅能够增强与RNA之间的静电相互作用,提高RNA的负载率,还能够在早期溶酶体内的弱酸环境下(pH≈6.0‑6.5)发生质子化,引发“质子海绵效应”,实现RNA从早期溶酶体逃逸,从而快释等会说。

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