芯片是怎么实现多层堆叠的
三星申请半导体封装专利,实现芯片的高效堆叠金融界2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体封装“的专利，公开号CN117637657A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示，一种半导体封装包括：基板，包括多个通路；在基板上的芯片堆叠；以及在基板上和在芯片堆叠的至少一部分上的模层。芯是什么。
三星申请半导体装置及其制造方法专利,实现芯片的高效堆叠金融界2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置及其制造方法“公开号CN117637726A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示，一种半导体装置包括第一芯片和堆叠在第一芯片上的第二芯片。第一芯片包括第一衬底、第一衬底的上表面上等会说。
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长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利,实现芯片的高效堆叠芯片堆叠体，位于所述基板上；所述芯片堆叠体包括多个沿垂直于所述基板的平面的方向依次堆叠的芯片；其中，所述芯片包括第一子部和第二子部，所述第一子部的第一表面和所述第二子部的第一表面齐平，所述第一子部的第二表面凸出于所述第二子部的第二表面；所述第一表面和所述第二表等我继续说。
三星申请半导体封装件专利,实现半导体芯片的高效堆叠金融界2024年4月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体封装件“公开号CN117810188A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示，一种半导体封装件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片，所述第一半导体芯片堆叠在所述第二半导体芯片上。所述第一半等我继续说。
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...存储申请半导体结构及其制备方法专利,实现多个芯片沿一方向依次堆叠所述半导体结构包括：多个芯片，多个所述芯片沿第一方向依次堆叠，所述第一方向为垂直于所述芯片的平面的方向；每个所述芯片包括：基底；n个第一导电结构，沿第一方向贯穿所述基底，所述n大于或等于2;其中，在所有芯片内的至少一组相对应的第一导电结构中，相邻两层所述芯片内的该组所小发猫。
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紫光国芯取得一种 3D 堆叠芯片专利,实现了 3D 堆叠集成逻辑芯片硬核 ...设置于基底层靠近硬核IP 器件模块的一侧，硅通孔通过金属传输层形成的传输网络连接硬核IP 器件模块。本实用新型通过硅通孔以及金属传输层形成的传输网络形成了先自下至上、再自上至下传输电和信号的方式，实现了3D 堆叠集成逻辑芯片硬核IP 器件模块的供电接入和信号接入。..
盛科通信-U申请新专利,通过不更换交换机或者交换芯片实现扩大堆叠...其中所述报文包括堆叠头部；所述主交换机解析所述报文的堆叠头部，以获取其中的目的交换机信息；所述主交换机基于预配置的访问控制列表ACL和所述目的交换机信息，将所述报文转发至与所述目的交换机对应的第二交换机。通过该方法能够通过不更换交换机或者交换芯片实现扩大堆是什么。
三星申请半导体封装件专利,实现多个半导体芯片的堆叠金融界2024年1月26日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体封装件“公开号CN117457617A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示，一种半导体封装件包括：第一半导体芯片；多个第二半导体芯片，其堆叠在所述第一半导体芯片上并且具有比所述第一半导体小发猫。
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三星申请半导体封装专利,能实现芯片堆叠与衬底焊盘的接合该衬底在衬底的顶表面上具有第一沟槽；以及在衬底上的芯片堆叠，包括半导体芯片。第一半导体芯片的芯片焊盘接合到衬底的衬底焊盘，该第一半导体芯片是半导体芯片中的最下半导体芯片。芯片焊盘和衬底焊盘由相同的金属材料形成。当在平面图中观察时，第一沟槽与第一半导体芯片还有呢？
长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利,实现芯片堆叠体通过多个...金融界2024年3月29日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法“公开号CN117790445A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：基板；芯片堆叠体，通过好了吧！
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